深圳市昂科技术有限公司(股票代码:873207),专业的 IC 烧录器制造商,推出了 Universal Flash Storage (UFS) 专用的工程型与量产型烧录器,以及自动化烧录设备。新推出的新一代烧录器整合了 UFS 系统设计与应用,适用于研发、产品验证及工厂小批量和大批量生产需求。低功耗、高性能的可靠存储UFS 是一种专为需要最低功耗
深圳市昂科技术有限公司,专业的 IC 烧录器制造商,推出了 Universal Flash Storage (UFS) 专用的工程型与量产型烧录器,以及自动化烧录设备。新推出的新一代烧录器整合了 UFS 系统设计与应用,适用于研发、产品验证及工厂小批量和大批量生产需求。&nbs
快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性
非易失性存储元件有很多种,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前两者已经基本被淘汰了,因此我仅关注后两者,本文对FLASH的基本存储单元结构、写操作、擦除操作和读操作的技术进行了简单介绍,对了NOR和NAND由存储结构决定的特性和应用场合的差异,对后续的硬件设计和驱动编程起到铺垫作用。1 FLASH基本存储单元---
这个时候发这篇文章难免有蹭热点的嫌疑。但作为一个计算机体系结构的研究生,在这些名词满天飞的时候,我的好奇心是抑制不住的,想一探这几样技术的究竟。本文不对某一特定事件进行点评,仅从技术角度分析对比一下这三种技术。就算是当做自己的技术储备+科普了。首先,这三种技术都是属于闪存(Flash Memory)的不同种类,区
NandFlash存储器由多个Block组成,每一个Block又由多个Page组成,Page的大小一般为2K+64Bytes或512+16Bytes。Page是读取和编程的基本单位,而擦除的基本单位是Block。图1 NAND Flash的存储结果NAND Flash的页,包含主区(Main Area)和备用区(Spare Area)两个域,“主区”中有512*8(或256*16)或2048*8(或1024*16)个位
剖析NAND Flash的编程结构上一篇文章我们介绍了NAND Flash和NOR Flash的区别,从结构及原理上看,NOR Flash这种类似ROM的结构方式,使得他编程简单,所以使用的工程师也很多,要不是成本太高,NAND Flash根本无法生存。NAND Flash由于价格低廉,存储容量大,越来越受到消费者的喜爱,特别是需要存储大量数据的消费者。那NAN
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